FT8012-3101-B83射頻導(dǎo)納開關(guān)
簡要描述:FT8012-3101-B83射頻導(dǎo)納開關(guān)應(yīng)用于幾種典型場合如下:化學(xué)藥品、塑料、薄膜、飼料/谷物、橡膠、藥品、液體、廢水、沙子、食品、泥漿、水泥、粉狀體、涂料/衣料、煤、顆粒狀固體、油、紙漿等。
產(chǎn)品型號(hào):
所屬分類:智能射頻導(dǎo)納料位計(jì)
更新時(shí)間:2023-02-13
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
FT8012-3101-B83射頻導(dǎo)納開關(guān)
測量原理:
射頻導(dǎo)納是一種從電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準(zhǔn)確、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級(jí)。所謂射頻導(dǎo)納,導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù),它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無線電波譜,所以射頻導(dǎo)納可以理解為用高頻無線電波測量導(dǎo)納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測介質(zhì)形成導(dǎo)納值,物位變化時(shí),導(dǎo)納值相應(yīng)變化,電路單元將測量導(dǎo)納值轉(zhuǎn)換成物位信號(hào)輸出,實(shí)現(xiàn)物位測量。
對(duì)于連續(xù)測量,射頻導(dǎo)納技術(shù)與傳統(tǒng)電容技術(shù)的區(qū)別除了上述講過的以外,還增加了兩個(gè)很重要的電路,這是根據(jù)導(dǎo)電掛料實(shí)踐中的一個(gè)很重要的發(fā)現(xiàn)改進(jìn)而成的。上述技術(shù)在這時(shí)同樣解決了連接電纜問題,也解決了垂直安裝的傳感器根部掛料問題。鎖增加的兩個(gè)電路是振蕩器緩沖器和交流變換斬波器驅(qū)動(dòng)器。
對(duì)一個(gè)強(qiáng)導(dǎo)電性被測介質(zhì)的容器,由于被測介質(zhì)是導(dǎo)電的,接地點(diǎn)可以被認(rèn)為在探頭絕緣層的表面,對(duì)變送器來說僅表現(xiàn)為一個(gè)純電容。隨著容器排料,探桿上產(chǎn)生掛料,而掛料是具有阻抗的。這樣以前的純電容現(xiàn)在變成了由電容和電阻組成的復(fù)阻抗,從而引起兩個(gè)問題。
*個(gè)問題是液位本身對(duì)探頭相當(dāng)于一個(gè)電容,它不消耗變送器的能量,(純電容不耗能)。但掛料對(duì)探頭等效電路中含有電阻,則掛料的阻抗會(huì)消耗能量,從而將振蕩器電壓拉下來,導(dǎo)致橋路輸出改變,產(chǎn)生測量誤差。我們?cè)谡袷幤髋c電橋之間增加了一個(gè)緩沖放大器,使消耗的能量得到補(bǔ)充,因而不會(huì)降低加在探頭的振蕩電壓。
另一個(gè)問題是對(duì)于導(dǎo)電被測介質(zhì),探頭絕緣層表面的接地點(diǎn)覆蓋了整個(gè)被測介質(zhì)及掛料區(qū),使有效測量電容擴(kuò)展到掛料的頂端。這樣便產(chǎn)生掛料誤差,且導(dǎo)電性越強(qiáng)誤差越大。但任何被測介質(zhì)都不是*導(dǎo)電的。從電學(xué)角度來看,掛料層相當(dāng)于一個(gè)電阻,傳感元件被掛料覆蓋的部分相當(dāng)于一條由無數(shù)個(gè)無窮小的電容和電阻元件組成的傳輸線。根據(jù)數(shù)學(xué)理論,如果掛料足夠長,則掛料的電容和電阻部分的阻抗相等。因此根據(jù)對(duì)掛料阻抗所產(chǎn)生的誤差研究,又增加一個(gè)交流驅(qū)動(dòng)器電路。該電路與交流變換器或同步檢測器一起就可以分別測量電容和電阻,從而排除掛料的影響。
這些,多參量的測量,是須得基礎(chǔ),交流鑒相采樣器是實(shí)現(xiàn)的手段。由于使用了上述三項(xiàng)技術(shù),使得射頻導(dǎo)納技術(shù)在現(xiàn)場應(yīng)用中展現(xiàn)出非凡的生命力。
FT8012-3101-B83射頻導(dǎo)納開關(guān)
湖北開航公司部分產(chǎn)品:
振動(dòng)傳感器TM621-A08-B00-C02-D00-E00-G00-I0-M1
TM622-A00-B00-C00-D00-E00-G00
TM622-A00-B00-C00-D00-E01-G00
TM622-A00-B00-C02-D00-E00-G00
TM622-A01-B00-C00-D00-E00-G00
TM622-A02-B00-C00-D00-E00-G00
TM622-A03-B00-C00-D00-E00-G00
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